收藏本站
型号 IPB65R420CFD
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
IPB65R420CFD PDF
代理商 IPB65R420CFD
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 420 毫欧 @ 3.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 340µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 870pF @ 100V
功率 - 最大 83.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB65R420CFD-ND
IPB65R420CFDATMA1
SP000890680
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
IPB65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
IPB65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
IPB65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
IPB65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
IPB65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263
IPB70N04S3-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB70N04S3-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB70N04S3-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB70N04S4-06 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
IPB70N10S3-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10S3-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10S3-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10S3L-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10SL-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB77N06S2-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
IPB77N06S3-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
IPB79CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
IPB80N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3